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超聲波清洗器清洗芯片的方法及流程

[導讀]隨著集成電路特征尺寸進入到深亞微米階段,集成電路芯片制造工藝中所要求的芯片表面的潔凈度越來越高,為了保證芯片材料表面的潔凈度,集成電路的制造工藝中存在數百道清洗工藝。另一種清洗方式是采用超聲波清洗機清洗,昆山市超聲儀器有限公司指出。

該芯片表面的清洗方法依次包括以下步驟:

預清洗:用去離子水利用超聲波清洗器對芯片進行預清洗,去離子水的溫度為50~60度,具體地,該超聲波的功率為30W,頻率為50KHz。

堿洗:芯片置于堿性溶液中利用超聲波進行清洗,堿性溶液的溫度為80~90度,較佳地,該堿性溶液可為氫氧化鈉溶液,濃度為2%~5%,清洗時間為5~10分鐘,在此步驟中,氫氧化鈉溶液的溫度不宜過高,如20~25度為佳。超聲波的功率為20W,頻率為40KHz。

有機溶劑清洗:芯片置于異丙醇和水的混合液中利用超聲波進行清洗,時間為5~10分鐘,超聲波的功率在20~30W,頻率為40KHz~50KHz。該步驟可有效溶劑去除芯片表面的有機殘留物。

酸洗:配制檸檬酸和去離子水的混合液,混合液的pH值為5~6。芯片被置于到該酸性溶液中,借助超聲波振蕩清洗技術,使芯片表面快速進行中和反應。

去離子水漂洗:用去離子水漂洗該芯片,漂洗時間為20~30分鐘,經過漂洗,芯片表面的酸液、堿液等清洗液殘留被漂洗干凈。

碳氫清洗:在上一步的去離子水中加入碳氫溶劑,繼而排除去離子水。

熱焓干燥:將芯片從清洗溶液中取出并進行熱焓干燥,該工序利用溫度壓力的變化,降低芯片上的焓值,使殘留液快速蒸發。

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