化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡稱 CMP)技術是目前最好的實現全局平面化的工藝技術，加工表面具有納米級表面精度和亞納米級表面粗糙度(Ｒ a ≤0. 3 nm)，同時表面和亞表面無損傷，已接近表面加工的極限。CMP 技術已廣泛應用在集成電路、計算機磁頭、硬磁盤及光學透鏡等超精密元件表面的加工。隨著現代科學技術的不斷進步，集成技術水平不斷提高，器件尺寸不斷縮小，對CMP 拋光硅晶片的表面質量要求越來越高。晶片表面的顆粒、有機物、金屬及吸附分子等污染物會嚴重影響元器件的性質，目前因清洗不佳引起的電子器件失效已超過集成電路制造中損失的一半，CMP后表面清洗質量的高低已嚴重影響到電子元器件的性能、可靠性和穩定性。

原子級表面粗糙度、無微觀缺陷以及超潔凈的表面已成為高技術電子元器件制造中的共同要求。因此，CMP 精密拋光表面的超精密清洗技術已成為超精加工技術中急待研究解決的關鍵難題之一。

為滿足 IT 行業發展需求，近年來兆聲波清洗得到了一定的重視，并獲得了前所未有的清洗效果，目前已在 CMP 超精加工技術中得到廣泛的應用。