實驗一中，選用的是低頻率超聲波。低頻超聲波常被用于清洗大型、重型零件或高密度材料的工件。在需要高功率去除污垢而不用考慮工件表面損傷的應用中，通常選擇20～30,kHz 范圍內的較低清洗頻率。本實驗選用頻率30,kHz、功率密度1,W/cm2的超聲波，空化作用異常強烈，對硅拋光片表面造成了損傷，因此晶片背面出現了點狀白印，即為超聲造成的

損傷。

實驗二中，選用的是半導體材料制備工藝中的常用功率，并且已經被業界一致認可。但選用的超聲波功率密度為1,W/cm2，對于一般硅拋光的去蠟清洗沒有任何問題，但由于所選用的晶片為背面較容易出現損傷的晶片，因此超聲功率密度較大，超聲的加速度和直進流作用很強，造成了晶片由超聲槽底向上的白印。

實驗三在實驗二的基礎上降低了超聲波的功率密度，選用的超聲波功率密度為0.5,W/cm2，通過降低超聲波的加速度和直進流作用，獲得了較好的實驗結果。