當前位置:首頁 > 淺析晶圓濕法清洗方式中常見的電氣控制

淺析晶圓濕法清洗方式中常見的電氣控制

[導讀]晶圓濕法清洗設備是半導體行業中最普遍和必須的設備,其電氣控制由于環境的因素有其特殊性和專業性,清洗設備中的電氣控制需要配合其清洗的特殊工藝而實現。

1 概述

半導體工藝的發展過程在很多方面可以說是清洗工藝隨著對無污染晶圓需求不斷增長而發展的過程。晶圓表面有4 大常見類型的污染: 1、顆粒; 2、有機殘留物; 3、無機殘留物; 4、需要去除的氧化層。半導體濕法清洗設備就是利用各種化學試劑和有機溶劑清除附著在半導體、金屬材料以及用具表面上各種有害雜質或油污的。其中晶圓清洗是以整個批次或單一晶圓借助各種無機或有機化學試劑的浸泡和噴灑來去除臟污,并用超純水來洗滌雜質,最后再用甩干機( SRD) 等烘干技術將晶片烘干。


2 化學試劑的配制

晶圓清洗最常見的RCA 清洗中,使用的化學溶劑是99%的濃硫酸、雙氧水、HF 酸、HCL 等強腐蝕性溶液。在以往的濕法清洗設備中,都是人工配制,存在一定的安全隱患和配制誤差,在每次清洗中都存在較大的偏差,F在的濕法清洗設備自動溶液的配制,其中一種方式是基于計量泵( 添加酸液) 、流量計( 添加純水) 來實現的。



3 QDR 去離子水洗

晶圓濕法清洗中有一道重要的工序就是去離子水洗,水洗前保證供水的純凈度,一般工廠檢測出水管的水阻不小于15 MΩ·cm。水洗結束后,還需要水阻率儀檢測洗完后排放水的或溢流水的水阻值來保證清洗的顆粒度要求。流動的水通過稀釋的機械原理將晶圓表面水溶性化學物質除去。最表層的化學物質溶解于水并被水流攜帶走。這種動作在一次一次不間斷的進行。較快的水流速度可以更快的將化學物質溶解,從而提高沖洗速度。水的更換次數直接決定了沖洗的速度。這可以通過想象以一個非?斓水流速度在一個非常大的沖洗槽中進行沖洗來理解。從晶圓表面去除掉的化學物質會均勻的分布在沖洗槽中,因此一部分化學物質也仍然將會附著在晶圓表面。只有通過足夠多的水流進,并攜帶著化學物質最終從槽中排出。



4 結束語

半導體工業中存在大范圍的清洗工藝,每個制造領域對于清潔度有著不同的需要,也對不同的清洗方案有著不同的經驗。不同的化學物質與清洗方法相結合以適應工藝過程特殊步驟的需要,F在的濕法清洗設備也越來越傾向于無人化操作,機械手的引入使得清洗更加高效和安全。濕法設備中的電氣控制存在其特殊性,也在往更加智能的方向發展。



相關文章

精品91一区二区三区